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產(chǎn)品名稱：日本ULVAC愛發(fā)科蝕刻裝置重慶販賣
產(chǎn)品型號：NE-7800H
產(chǎn)品廠商：ULVAC愛發(fā)科
產(chǎn)品價格：0
折扣價格：0
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簡單介紹：

蝕刻裝置高密度等離子干法蝕刻設(shè)備 ULHITE TM NE-7800H

詳情介紹：

蝕刻裝置

高密度等離子
干法蝕刻設(shè)備ULHITE ^TM NE-7800H

高密度等離子干蝕刻設(shè)備 ULHITE ^TM NE-7800H 是一種多室型低壓、高密度，支持蝕刻 FeRAM 中使用的難蝕刻材料（鐵電體、貴金屬、磁性薄膜等）、MRAM、ReRAM、PCRAM等。是等離子刻蝕設(shè)備。

特征

磁場ICP（ISM）法-低壓高密度等離子體處理非揮發(fā)性材料的專用機
我們提供從常溫到高溫（400oC）的蝕刻解決方案，層壓薄膜的批量蝕刻和硬掩模的去除。
通過從腔室到排氣管線和 DRP 的均勻加熱來進行倉庫測量。
在抑制維護清潔成本和顆粒產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)和材料以及加熱機制等非揮發(fā)性材料的蝕刻方面具有豐富經(jīng)驗的量產(chǎn)設(shè)備。
實現(xiàn)長期重現(xiàn)性和穩(wěn)定性。

采用

FeRAM、MRAM、ReRAM、CBRAM、PcRAM等

規(guī)格

物品	規(guī)格
設(shè)備配置	磁帶室/自動裝載機
	運輸室
	蝕刻室
	預(yù)熱室（可選）
	前后處理室（選配）
可加工板尺寸	6.8 英寸
膜式	鐵電/高介電材料、磁性材料、電極材料等
面內(nèi)均勻度	± 5% 或更少
等離子源	ISM（磁場 ICP）
基板電極溫度	~ 400oC ± 5oC
沉積措施	法拉第屏蔽機構(gòu)/頂板加熱機構(gòu)/保護板加熱機構(gòu)等
工藝配方編輯方法	多步法